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2020-08-25
測量鐵電材料電滯回線的方法通常有兩種：沖擊檢流計描點法和Sawyer-Tower電路法。第二種方法可用超低頻示波器進行觀察以及用xy函數記錄儀進行記錄，簡便迅速，故人們常常采用。采用Sawyer-Tower電路準靜態測試鐵電陶瓷材料電滯回線的測量原理圖（GB/T6426-1999）如圖4.5-30所示，系統絕緣電阻不小于108Ω，超低頻高壓源輸出電壓峰值為0~5KV、頻率為0.1Hz的正弦波。運算放大器輸入阻抗不小于109Ω。標準電容器Co的直流電阻不小于109Ω，一般容量為...2020-08-24
一、主要特點:1、能根據薄膜的使用寬度進行電弱點的測試，測試寬度可根據用戶的要求而設定，無須將膜分切成小卷，免除了許多外來因素對測試結果的影響。2、測試數據能真實地反映薄膜的質量水平。3、主要元器件均選用品牌(如歐姆龍，美信，ABB等)，有效地保證了設備的可靠性、耐用性和穩定性。4、測量，復現性好。5、測試過程采用電子技術全自動控制，遇到電弱點時電壓切斷動作迅速。6、擊穿電流在0～40mA連續可調，復現性好。7、多重保護功能，充分考慮了操作人員及設備的安全性。8、過壓、過流、...2020-08-20
臨界負溫熱敏材料以VO2為基本成分的多晶半導體材料，在68℃附近電阻值發生突變，在狹小的溫區內，電阻值隨溫度的增加而降低3~4個數量級，具有很大的負溫度系數。阻值突變的溫度稱為臨界溫度Tc，不同的材料其臨界溫度Tc不同，如V2O3的臨界溫度為-100℃，Fe304為-150℃，VO2為68℃，Ti305為175℃，V305為140℃。Tc可以通過摻入適當的雜質提高或降低，如在V305中摻入Ge可將其TC降到100~140℃之間，摻入2%的Ge，可使Tc降到120℃左右。在臨界...2020-08-20
PTC熱敏陶瓷1950年荷蘭Hayman等人，在BaTiO3材料中摻入微量元素，如Sb，La，Sm,Gd,Ho等，其常溫電阻率下降到10-2~104cm。與此同時當溫度超過材料的居里溫度，在幾十度溫度范圍內，其電阻率增大4~10個數量級，即產生所謂PTC效應。BaTiO3是一種典型的鈣鈦礦結構。BaTiO3系半導體陶瓷的制造方法與一般的電子陶瓷材料基本相同。只是對原材料的純度、摻雜成分的均勻性及工藝過程的控制有較高的要求。持別是BaTiO3半導體陶瓷與金屬銀電極的接觸面電阻可...
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